ВОПРОСЫ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫХ БИЛЕТОВ
ПО КУРСУ «СХЕМОТЕХНИКА ЭВМ» (1-Й СЕМЕСТР)

(даны в произвольном порядке, не соответствующем размещению в экзаменационных билетах)

1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов ЭВМ. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
2. Реализация функции Монтажное ИЛИ в ЭСЛ-схемотехнике.
3. Синтезировать принципиальную схему ТТЛШ без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
4. Схемотехника МОП-вентилей. Принципы синтеза.
5. Синтезировать модификации схем ТТЛ с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда Q2.
6. Сравнительный анализ схем инверторов на МОП-транзисторах.
7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ТТЛ со сложным инвертором.
8. Логический элемент И-НЕ на МОП-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
9. Определить напряжение логической «1»схемы ТТЛ с простым инвертором с открытым коллектором.
10. Логический элемент ИЛИ-НЕ на МОП-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ТТЛШ с простым инвертором.
12. Нарисовать модель ФИЭ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ТТЛ).
14. Существует ли КМОП логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
15. Реализация функции И-ИЛИ-НЕ в ТТЛ-схемотехнике.
16. Разработать математическую модель (граф) МЭСЛ с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
17. Схема ТТЛ с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (МОП-вентили ИЛИ-НЕ и И-НЕ)?
19. Инжекционный элемент И-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
20. Синтезировать математические модели и принципиальные схемы элемента ИЛИ в КМОП-схемотехнике.
21. Инжекционный элемент ИЛИ-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
22. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы И, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
23. Методика проектирования устройств ЭВМ в базисе ТТЛ. Привести пример.
24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы ИЛИ, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
25. Методика проектирования устройств ЭВМ в базисе ЭСЛ. Привести примеры.
26. Сравнить математические модели n-МОП и КМОП инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
27. Методика проектирования устройств ЭВМ в базисе И2Л. Привести примеры.
28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
29. Методика проектирования устройств ЭВМ в МОП и КМОП схемотехниках. Привести примеры.
30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ТТЛ.
31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ).
32. Чем определяется напряжение питания МОП-вентилей И-НЕ? Как это влияет на другие технические параметры?
33. Варианты ЭСЛ. Режимы работы.
34. Чем хороша и чем плоха схема МОП-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
35. Схема источника опорного напряжения ЭСЛ-вентиля.
36. Синтезировать схему ТТЛ с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
37. Реализация сложных логических функций на МОП-транзисторах. Привести примеры.
38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
39. Схемотехника КМОП-вентилей.
40. Спроектировать в базисе И2Л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
41. КМОП-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
43. Логический элемент И-НЕ на КМОП-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
45. Логический элемент ИЛИ-НЕ на КМОП-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
46. Синтезировать структуру НСТЛ с общими коллектором и эмиттером.
47. Схемотехника инжекционных схем.
48. Нарисовать модель ФИЭ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
49. ТТЛ с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
50. Зависит ли мощность КМОП-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
51. Основные характеристики ТТЛ с простым инвертором.
52. Определить минимальное значение напряжения питания КМОП-вентилей И-НЕ и ИЛИ-НЕ на 3 входа.
53. ТТЛ со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
54. Реализовать функцию f=ab+c в КМОП-схемотехнике.
55. Основные характеристики ТТЛ со сложным инвертором.
56. Для математической модели схемы МЭСЛ с минимальным количеством вершин сгенерировать интегральную структуру, используя: эпитаксиально-планарную технологию; технологию локальной эпитаксии; 3-d технологию.
57. Разновидности схем ТТЛ со сложным инвертором.
58. Синтезировать схему МЭСЛ без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
60. Нарисовать модель ФИЭ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).